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PTF080101SV1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 32259
數量：: 7092
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz

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PTF080101SV1 PDF參數資料

中文參數如下：

電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.83 Ohms
功率耗散：58 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：32259
最大工作溫度：+ 200 C
閘/源擊穿電壓：- 0.5 V, + 12 V
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTF080101SV1的詳細信息，包括PTF080101SV1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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