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PTFA091201GLV1R250

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-63248-2
數量：
 2646  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
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PTFA091201GLV1R250-PG-63248-2圖片

PTFA091201GLV1R250 PDF參數資料

中文參數如下：

功率耗散：625 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-63248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：120 W
增益：18.5 dB
頻率：920 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA091201GLV1R250的詳細信息，包括PTFA091201GLV1R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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