PTFA192001F V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-37248-2
數(shù)量：: 5859
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA192001F V4 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA192001FV4XP
工廠包裝數(shù)量：40
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Tray
封裝形式：H-37248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：17 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA192001F V4的詳細信息，包括PTFA192001F V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：

DSPIC33CK128MC103-E/M5

STI150N10F7

IS46TR16640C-125JBLA25-TR