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PTFA260851EV1R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-30248-2
數量:
 2961  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9
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PTFA260851EV1R250 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:437.5 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:H-30248-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續電流:900 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:85 W
增益:14 dB
頻率:2.7 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA260851EV1R250的詳細信息,包括PTFA260851EV1R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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