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PTFB191501E V1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-36248-2
數量：
 6228  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB191501E V1-H-36248-2圖片

PTFB191501E V1 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FB191501EV1XP PTFB191501EV1XWSA1 SP000695468
系列：PTFB191501
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
最小工作溫度：- 40 C
封裝形式：H-36248-2
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續電流：1.2 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFB191501E V1的詳細信息，包括PTFB191501E V1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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