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PTFB212503EL V2

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-33288-6
數(shù)量：
 3339  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB212503EL V2-H-33288-6圖片

PTFB212503EL V2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FB212503ELV2NP
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-33288-6
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續(xù)電流：1.85 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFB212503EL V2的詳細(xì)信息，包括PTFB212503EL V2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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