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RDN050N20FU6

廠家：
  ROHM Semiconductor
封裝：
 TO-220-3 整包
數量：
 4401  
說明：
 MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V
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RDN050N20FU6-TO-220-3 整包圖片

RDN050N20FU6 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：500
功率耗散：30 W
柵極電荷 Qg：9.3 nC
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220FN
安裝風格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.55 Ohms
漏極連續電流：8 A
汲極/源極擊穿電壓：200 V
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RDN050N20FU6的詳細信息，包括RDN050N20FU6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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