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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.2 毫歐 @ 25A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3000pF @ 10V
功率 - 最大:65W
安裝類型:*
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