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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:13 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
功率耗散:1.15 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.105 Ohms, 0.2 Ohms
漏極連續電流:2.5 A, 1.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI3552DV-T1的詳細信息,包括SI3552DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!