SI7145DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 7029
說明：: MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III

一、本商品被瀏覽0次.

SI7145DP-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI7145DP-GE3
典型關閉延遲時間：107 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：110 ns
功率耗散：104 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：110 S
下降時間：43 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.6 mOhms at 10 V
漏極連續電流：- 60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7145DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7145DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：