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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:23 ns
工廠包裝數量:100
上升時間:30 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:9 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):55 mOhms
漏極連續電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI9802DY的詳細信息,包括SI9802DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!