SIB419DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6
數(shù)量：: 1998
說明：: MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SIB419DK-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIB419DK-GE3
典型關閉延遲時間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：42 ns
功率耗散：2.45 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC75-6L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.089 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIB419DK-T1-GE3的詳細信息，包括SIB419DK-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：