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SIB437EDKT-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? TSC75-6
數量:
 6057  
說明:
 MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V
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SIB437EDKT-T1-GE3-PowerPAK? TSC75-6圖片

SIB437EDKT-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIB437EDKT-GE3
上升時間:170 ns
功率耗散:2.4 W
柵極電荷 Qg:10.5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :14 A
下降時間:630 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-75-6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.028 Ohms
漏極連續電流:- 7.5 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:- 8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIB437EDKT-T1-GE3的詳細信息,包括SIB437EDKT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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