SIB912DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6L 雙
數量：: 1962
說明：: MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V

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SIB912DK-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIB912DK-GE3
典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：10 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-75-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：216 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIB912DK-T1-GE3的詳細信息，包括SIB912DK-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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