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SIHB30N60E-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 5535  
說明：
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHB30N60E-GE3-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

SIHB30N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：63 ns
上升時間：32 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：85 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：5.4 S
下降時間：36 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK (TO-263)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：125 mOhms at 10 V
漏極連續電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB30N60E-GE3的詳細信息，包括SIHB30N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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