SIHG17N60D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數量：: 4815
說明：: MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V

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SIHG17N60D-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIHG17N60D-E3
上升時間：56 ns
功率耗散：277.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：45 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6.2 S
下降時間：30 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247AC
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.34 Ohms
漏極連續電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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