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SIHG22N60E-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-247AC
數量：
 4851  
說明：
 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
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SIHG22N60E-E3-TO-247AC圖片

SIHG22N60E-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：227 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：57 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：6.4 S
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AC-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：180 mOhms at 10 V
漏極連續電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG22N60E-E3的詳細信息，包括SIHG22N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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