SIHG460B-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數量：: 4959
說明：: MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

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SIHG460B-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：31 ns
功率耗散：278 mW
柵極電荷 Qg：85 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：56 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247 AC
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：250 mOhms at 10 V
漏極連續電流：20 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG460B-GE3的詳細信息，包括SIHG460B-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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