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SIHP10N40D-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-220AB
數量：
 5013  
說明：
 MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
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SIHP10N40D-E3-TO-220AB圖片

SIHP10N40D-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：147 W
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：600 mOhms at 10 V
漏極連續電流：10 A
閘/源擊穿電壓：5 V
汲極/源極擊穿電壓：400 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP10N40D-E3的詳細信息，包括SIHP10N40D-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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