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中文參數如下:
上升時間:57 ns
功率耗散:278 W
柵極電荷 Qg:44 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7.4 S
下降時間:37 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):170 mOhms at 10 V
漏極連續電流:25 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:400 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHP25N40D-GE3的詳細信息,包括SIHP25N40D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!