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SIHP33N60E-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-220-3
數量：
 5886  
說明：
 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
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SIHP33N60E-GE3-TO-220-3圖片

SIHP33N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：150 ns
商標名：E-Series
上升時間：90 ns
功率耗散：278 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：150 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：11 S
下降時間：80 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：99 mOhms at 10 V
漏極連續電流：33 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP33N60E-GE3的詳細信息，包括SIHP33N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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