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中文參數如下:
零件號別名:SIHP8N50D-GE3
功率耗散:156 W
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):850 mOhms at 10 V
漏極連續電流:8.7 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
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