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SIHU5N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
數(shù)量:
 5292  
說明:
 MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V
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SIHU5N50D-GE3-TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA圖片

SIHU5N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIHU5N50D-E3
上升時間:11 ns
功率耗散:104 W
柵極電荷 Qg:10 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.8 S
下降時間:11 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHU5N50D-GE3的詳細信息,包括SIHU5N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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