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中文參數如下:
零件號別名:SIZ700DT-GE3
典型關閉延遲時間:25 ns, 47 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:9 ns, 8 ns
功率耗散:2.36 W, 2.8 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 S, 100 S
下降時間:8 ns, 10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAIR
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.007 Ohms, 0.0047 Ohms
漏極連續電流:16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIZ700DT-T1-GE3的詳細信息,包括SIZ700DT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!