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SP8M3FU7TB1

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-SOP
數量:
 1539  
說明:
 MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
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SP8M3FU7TB1-8-SOP圖片

SP8M3FU7TB1 PDF參數資料

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中文參數如下:

封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C
功率 - 最大值:2W(Ta)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):230pF @ 10V,850pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 5V,8.5nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):51毫歐 @ 5A,10V,56毫歐 @ 4.5A,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):5A(Ta),4.5A(Ta)
漏源電壓(Vdss):30V
FET 功能:-
配置:N 和 P 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Rohm Semiconductor

以上是SP8M3FU7TB1的詳細信息,包括SP8M3FU7TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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