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SQM40N10-30-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263
數量：
 2637  
說明：
 MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V
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SQM40N10-30-GE3-TO-263圖片

SQM40N10-30-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
功率耗散：107 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.03 Ohms
漏極連續電流：40 A
閘/源擊穿電壓：3.5 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM40N10-30-GE3的詳細信息，包括SQM40N10-30-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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