
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
功率耗散:25 W
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.36 Ohms
漏極連續電流:11 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STFI13NM60N的詳細信息,包括STFI13NM60N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!