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中文參數(shù)如下:
功率耗散:625 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:350 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:Max247
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.019 Ohms
漏極連續(xù)電流:96 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:710 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STY112N65M5的詳細(xì)信息,包括STY112N65M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!