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TCDT1100G

廠家：
  Vishay Semiconductors
封裝：
 6-DIP
數(shù)量：
 4878  
說明：
 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40%
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TCDT1100G-6-DIP圖片

TCDT1100G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
輸出類型：DC
輸出設(shè)備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量：1 Channel
最大反向二極管電壓：5 V
最大輸入二極管電流：60 mA
包裝形式：Tube
封裝形式：PDIP-6
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大集電極電流：50 mA
最大正向二極管電壓：1.6 V
絕緣電壓：5000 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：0.3 V
最大集電極/發(fā)射極電壓：32 V
輸入類型：DC
RoHS：是
產(chǎn)品種類：晶體管輸出光電耦合器
制造商：Vishay

以上是TCDT1100G的詳細(xì)信息，包括TCDT1100G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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