TK18A30D,S5X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數量：: 3843
說明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

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TK18A30D,S5X PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2600 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：139 毫歐 @ 9A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：18A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：300 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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