TK31J60W5,S1VQ

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 8127
說明：: MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：165 ns
上升時(shí)間：32 ns
功率耗散：230 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：86 nC
下降時(shí)間：8.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.073 Ohms
漏極連續(xù)電流：30.8 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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