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TK60D08J1(Q)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 TO-220-3
數量：
 2898  
說明：
 MOSFET MOSFET N-Ch
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TK60D08J1(Q)-TO-220-3圖片

TK60D08J1(Q) PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：5 ns
功率耗散：140 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.078 Ohms
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK60D08J1(Q)的詳細信息，包括TK60D08J1(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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