TPC8A02-H(TE12L,Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
數(shù)量：: 1161
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch SBD 30V 16A

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：6 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0056 Ohms
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8A02-H(TE12L,Q)的詳細(xì)信息，包括TPC8A02-H(TE12L,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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