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TPH4R50ANH1,LQ

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 8-SOP Advance(5x5.75)
數量:
 4167  
說明:
 MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
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TPH4R50ANH1,LQ-8-SOP Advance(5x5.75)圖片

TPH4R50ANH1,LQ PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C
功率耗散(最大值):800mW(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5200 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):58 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):4.5 毫歐 @ 46A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):92A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:U-MOSVIII-H
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPH4R50ANH1,LQ的詳細信息,包括TPH4R50ANH1,LQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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