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VNS1NV04

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 SO-8
數(shù)量：
 4282  
說(shuō)明：
 MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni
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VNS1NV04-SO-8圖片

VNS1NV04 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：350 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時(shí)間：170 ns
功率耗散：8.3 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：2 S
下降時(shí)間：200 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：250 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.7 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VNS1NV04的詳細(xì)信息，包括VNS1NV04廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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