ZXMC3A17DN8

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: SO-8
數量：: 5902
說明：: MOSFET N and P Channel

一、本商品被瀏覽0次.

ZXMC3A17DN8 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel
工廠包裝數量：500
上升時間：6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.065 Ohms
漏極連續電流：5.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMC3A17DN8的詳細信息，包括ZXMC3A17DN8廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：