ZXMHC3A01N8TC

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 28324
說(shuō)明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

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ZXMHC3A01N8TC PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：2.3 ns
功率耗散：10.9 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：2.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：H-Bridge
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：125 mOhm to 330 mOhm
漏極連續(xù)電流：- 2.06 A, 2.72 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V, 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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