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耗盡型MOS管(MOSFET)特性曲線及主要參數(shù)
耗盡型MOS管(MOSFET)特性曲線及主要參數(shù)

上面介紹的是增強型 N 溝道 MOS-FET 的簡單工作原理，對于 P 溝道的增強型 MOS-FET 來說，其偏置極性相反，原理相同。增強 MOS-FET 的特點是， N 溝道的建立是 UgS 的貢獻，沒有 Ugs > Ut ，導(dǎo)電溝道就無法建立， D 、 S 之間就不會有導(dǎo)通電流。與增強型 MOS-FET 相比，另有一種 MOS-FET，稱為耗盡型 MOS 一 FET ，它在制造過程中，在二氧化硅絕緣層中攙進大量正離子，形成一個正電中心，產(chǎn)生了指向 P 型硅表面的垂直電場，在 Ugs 為零時， D 、 s 之間已經(jīng)有 N 溝道形成，若外加 Ugs 大于零，導(dǎo)電溝道加寬，當(dāng) Ugs 為負值，負到一定值時，正電中心形成的垂直電場被抵消，導(dǎo)電溝道消失。此時的 UgS 也被定義成夾斷電壓，記為 Ut 。耗盡型

MOS 一 FET 的特性曲線類似于增強型 MOS 一 FET ，只是出現(xiàn)了負偏置需求，請看圖 1 . 26 的典型特性曲線：



MOS-FET 的主要參數(shù)

[ l ］飽和漏極電流 IdsS ，是指在 Ugs =OV , Uds >|Up|時的Id 值，是耗盡型管的參數(shù)。

[ 2 ］夾斷電壓 Up ，是指 UdS 固定時，使得耗盡型 MOS-FET 的 Id 幾乎為零時的柵源極間電壓值。

[ 3 ］開啟電壓 Ut ，是指 UdS 固定時，使得增強型 Mos-FET 開始導(dǎo)電的柵源極間電壓值。

[ 4 ］直流輸入電阻 RgS ，它等于柵極直流電壓 Ugs 與柵極電流之比， MOS-FET 的 Rgs 在 10e10-10e15 Ohm 之間。

[ 5 ］柵源極間擊穿電壓 BVgS ，是指 G 、 S 間發(fā)生擊穿時的 UgS 電壓值。

[ 6 ］最大功耗 Pdm=Id*Uds .

[ 7 ］跨導(dǎo) Gm ，是指 UdS 、 UbS 為常數(shù)時，漏極電流的變化量與柵源極間電壓變化量之比。本質(zhì)為轉(zhuǎn)移特性曲線工作點處的斜率。

[ 8 ］輸出電阻 RdS ，是指恒流區(qū)，當(dāng) Ugs 、 Ubs 為常數(shù)時， UdS 的變化量與 Ids 變化量之比。本質(zhì)意義是輸出特性曲線工作點處的斜率

。

[ 9 ］動態(tài)導(dǎo)通電阻 Ron ，是指在可變電阻區(qū)，當(dāng) UdS 、 UbS 為常數(shù)時， Uds 變化量與 Ids 變化量之比，可以證明 Ron=1/Gm 。

[10 ］背柵跨導(dǎo) Gmb ，是指 UdS 、 Ugs 為常數(shù)時， Ubs 變化量與 Id 變化量之比。

[ l1 ］極間電容，是指 MOS-FET 三個引腳之間的寄生電容： CgS 、 CdS 、 Cdg，以及背柵與其它電極之間的電容： Cbd,Cbg,CbS 。