圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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2SC6060(STA4,Q) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A Transistor |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,工廠包裝數(shù)量:50,... |
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2SD1525(F) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Reel,工廠包裝數(shù)量:100,... |
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2SC1815-GR(TPE2,F) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT 50V NPN 150mA Bipolar Trans 60V |
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參數(shù):制造商:Toshiba,RoHS:是,包裝形式:Reel,... |
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2SC1815GRTE2FT |
Toshiba |
TO-92 |
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兩極晶體管 - BJT x34 Small Signal Transistor |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,集電極—基極電壓 VCBO:60 V,集電極—... |
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2SC1815-Y(TE2,F,T) |
Toshiba |
TO-92 |
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兩極晶體管 - BJT x34 Small Signal Transistor |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,集電極—基極電壓 VCBO:60 V,集電極—... |
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2SD1223(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
PW-MOLD |
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兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min |
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參數(shù):Toshiba Semiconductor and Storage|卷帶(TR)|-|在售|NPN - 達林頓|4 A|80 V|1.5V @ 6mA,3A|2... |
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2SD2012(F,M) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,... |
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2SD1407A-O(F) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,晶體管極性:NPN,集電極—基極電壓 VCBO:100 V,集電極—發(fā)射極最大電壓 V... |
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2SD1407A-Y(F) |
Toshiba |
TO-220NIS |
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兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor |
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參數(shù):Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|停產(chǎn)|NPN|5 A|100 V|2V @ 400mA,4A|100μA(ICBO... |
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2SD2257(Q) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Reel,... |
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2SD2406-Y(F) |
Toshiba |
TO-220NIS |
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兩極晶體管 - BJT NPN 80V 2A Transistor |
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參數(shù):Toshiba Semiconductor and Storage|管件|-|停產(chǎn)|NPN|4 A|80 V|1.5V @ 300mA,3A|30μA(ICBO... |
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2SK2699(F,T) |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT N-Ch FET RDS 0.5 Ohm IDSS 100uA VDS 600V |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:50,... |
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HN2E07JE(TE85L,F) |
Toshiba |
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4000 |
兩極晶體管 - BJT Small Signal SBD + PNP (BRT) |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,配置:Dual,晶體管極性:NPN/PNP,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 12... |
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HN1A01FU-Y(T5L,F,T |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT VCEO -50V IC -150mA HFE 120 - 400 200mW |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Reel,... |
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HN1B01FUGRLFT |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Reel,... |
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HN1B04FU-GR(L,F,T) |
Toshiba |
2-2J1A |
5990 |
兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,配置:Dual,晶體管極性:NPN/PNP,集電極—基極電壓 VCBO:60 V, -... |
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HN1C01FUGRLFT |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,包裝形式:Reel,... |
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HN4B01JE(TE85L,F) |
Toshiba |
ESV |
4,000 |
兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V |
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參數(shù):Toshiba Semiconductor and Storage|卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|在售|NPN,PNP(耦... |
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HN7G01FE-A |
Toshiba |
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兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,... |
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HN7G01FE-A(TE85L,F |
Toshiba |
ES-6 |
3830 |
兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT ,RoHS:是,配置:Dual,晶體管極性:PNP,集電極—基極電壓 VCBO:- 15 V,集電極—... |