Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIDC09D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 20A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|20A|1.7 V @ 20 A|快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io... | ||||||
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SIDC09D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 30A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|30A|1.6 V @ 30 A|快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io... | ||||||
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SIDC10D120H6X1SA5 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 15A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|15A|1.6 V @ 15 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC110D170HX1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.7KV 200A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1700 V|200A|1.8 V @ 200 A|標準恢復 >500n... | ||||||
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SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 15A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|15A|1.9 V @ 15 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 15A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|15A|2.1 V @ 15 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC14D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 25A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|25A|1.6 V @ 25 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC14D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 30A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|30A|1.25 V @ 30 A|標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）... | ||||||
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SIDC14D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 30A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|30A|1.25 V @ 30 A|標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）... | ||||||
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SIDC14D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 45A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|45A|1.6 V @ 45 A|快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io... | ||||||
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SIDC161D170HX1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.7KV 300A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1700 V|300A|1.8 V @ 300 A|標準恢復 >500n... | ||||||
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SIDC23D120E6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 25A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|25A|1.9 V @ 25 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC23D120F6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 25A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|25A|2.1 V @ 25 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC23D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 35A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|35A|1.6 V @ 35 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC23D60E6X1SA4 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 50A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|50A|1.25 V @ 50 A|標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）... | ||||||
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SIDC23D60E6YX1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 50A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|50A|1.25 V @ 50 A|標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）... | ||||||
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SIDC30D120E6X1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 35A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|35A|1.9 V @ 35 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC30D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 35A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|35A|2.1 V @ 35 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC30D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 1.2KV 50A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|Digi-Key 停止提供|標準|1200 V|50A|1.6 V @ 50 A|標準恢復 >500ns，... | ||||||
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SIDC30D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | 帶箔切割晶片 | DIODE GP 600V 75A WAFER | ||
| 參數：Infineon Technologies|散裝|-|停產|標準|600 V|75A|1.25 V @ 75 A|標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）... | ||||||
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