Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD038N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 726 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD03N03LA G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 1,037 | MOSFET N-CH 25V 90A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD03N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD040N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 1171 | MOSFET N-CH 30V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD042P03L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 3838 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD04N03LA G | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD04N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 1,139 | MOSFET N-CH 30V 90A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD050N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 1910 | MOSFET N-CH 30V 50A 5mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD053N06N | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET 60V TO-252 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：45 A，電阻汲極/源極 RDS... | ||||||
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IPD053N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2343 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2148 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD05N03LAG | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD05N03LBG | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD060N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 600 | MOSFET N-CH 30V 50A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD068N10N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | TO-252-3 | 3217 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 7... | ||||||
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IPD06N03LA G | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD06N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD075N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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