Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIB406EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 2,801 | MOSFET 20V 6.0A 10W 46mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIB408DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 7.0A 13W 40mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIB410DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：9 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.03... | ||||||
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SIB411DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB411DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB412DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB412DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB413DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SIB414DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SIB415DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SIB417DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 52mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極... | ||||||
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SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極... | ||||||
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SIB419DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIB422EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9.0A 13W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB431EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC75-6L | MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SIB433EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 9A P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 9 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? TSC75-6 | MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIB452DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：190 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET -12V 27mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：10 V，漏極連續電流：- 9 A，電阻汲... | ||||||
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SIB456DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 17,038 | MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：3 V，漏極連續電流... | ||||||
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