Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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PTFB211503EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211503FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211503FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211503FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：32 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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PTFB211503FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：32 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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PTFB211803EL V1 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211803EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211803FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211803FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB211803FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，輸出功率：40 W，汲極/源極擊穿電... | ||||||
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PTFB211803FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，輸出功率：40 W，汲極/源極擊穿電... | ||||||
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PTFB212503EL V1 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB212503EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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PTFB212503EL V2 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB212503FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB212503FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/... | ||||||
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PTFB212503FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB212503FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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PTFB213004F V1 | Infineon Technologies | H-37275-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：2.4 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB213004F V1 R250 | Infineon Technologies | H-37275-6/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：60 W，汲極/源極... | ||||||
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