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PTFB211803EL V1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-33288-6
數量:
 3267  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB211803EL V1-H-33288-6圖片

PTFB211803EL V1 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FB211803ELV1NP PTFB211803ELV1XWSA1 SP000812608
系列:PTFB211803
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.05 Ohms
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:H-33288-6
最大工作溫度:+ 125 C
閘/源擊穿電壓:10 V
漏極連續電流:1.3 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
配置:Single
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFB211803EL V1的詳細信息,包括PTFB211803EL V1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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