| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB022N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 26 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB023N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 938 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB023N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB025N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB025N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 2228 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB025N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-7 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB027N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB029N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 900 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 396 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB031NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 534 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
|
|
IPB033N03LG | Infineon Technologies | MOSFET POWER MOS | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，工廠包裝數量：1000，... | ||||||
|
IPB034N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 443 | MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB034N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 200 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 800 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
|
|
IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 322 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
|
|
IPB039N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 250 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | 291 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
869/1298 首頁 上頁 [864] [865] [866] [867] [868] [869] [870] [871] [872] [873] [874] 下頁 尾頁
