| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BLF6G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10LS-160,118 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10LS-160RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|32 V|39A|-|1.2 A|32W... | ||||||
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BLF6G10LS-160RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|32 V|39A|-|1.2 A... | ||||||
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BLF6G10LS-200 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200R | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200R /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200R,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200R,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BLF6G10LS-200RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|卷帶（TR）|-|最后售賣|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|20dB|28 V|49A|-|1.4 A... | ||||||
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BLF6G10LS-200RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|最后售賣|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|20dB|28 V|49A|-|1.4 A|40W... | ||||||
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BLF6G10LS-260PRN,1 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射頻MOSFET電源晶體管 Single 65V 64A 0.1Ohms | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 ... | ||||||
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BLF6G10LS-260PRN:1 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射頻MOSFET電源晶體管 Single 65V 64A 0.1Ohms | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|雙，共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 A|40... | ||||||
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BLF6G10S-45 | NXP Semiconductors | SOT-608B | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：0.7 GHz to 1 GHz，... | ||||||
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BLF6G10S-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS | ||
| 參數(shù)：Ampleon USA Inc.|托盤|-|停產(chǎn)|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|23dB|28 V|13A|-|350 mA|1W|6... | ||||||
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BLF6G13L-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121A | 射頻MOSFET電源晶體管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.3 GHz，增益：17 dB，輸出功率：250 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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BLF6G13LS-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121B | 射頻MOSFET電源晶體管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.3 GHz，增益：17 dB，輸出功率：250 W，汲極/源極擊穿電壓：... | ||||||
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