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BLF6G10LS-160,112

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT-502B
數(shù)量:
 6372  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
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BLF6G10LS-160,112-SOT-502B圖片

BLF6G10LS-160,112 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:BLF6G10LS-160
工廠包裝數(shù)量:20
產(chǎn)品類型:MOSFET Power
功率耗散:115 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-502B
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:+/- 13 V
漏極連續(xù)電流:39 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:32 W
增益:22.5 dB
頻率:0.7 GHz to 1 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:NXP

以上是BLF6G10LS-160,112的詳細(xì)信息,包括BLF6G10LS-160,112廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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