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中文參數(shù)如下:
FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 69.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C139A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 9875pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝
以上是APTM10DDAM09T3G的詳細(xì)信息,包括APTM10DDAM09T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!