BSC190N15NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數量：: 10258
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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BSC190N15NS3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GXT SP000416636
典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：53 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：57 S, 29 S
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：19 mOhms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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