CSD25201W15

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 9-DSBGA
數(shù)量：: 8991
說明：: MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：51 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：11 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：4.3 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：38 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WCSP-9
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：33 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：- 6 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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